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KSB744-O

更新时间: 2024-10-29 14:51:55
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三星 - SAMSUNG 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 103K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126

KSB744-O 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.71
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:10 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):45 MHz
VCEsat-Max:2 VBase Number Matches:1

KSB744-O 数据手册

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