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KSB744

更新时间: 2024-10-29 20:32:59
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三星 - SAMSUNG /
页数 文件大小 规格书
3页 103K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-126

KSB744 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.71Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):3 A
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):10 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):45 MHz
Base Number Matches:1

KSB744 数据手册

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