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KSB744A

更新时间： 2024-10-28 22:32:07
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 68K
描述
Audio Frequency Power Amplifier

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KSB744A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.79外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：10 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：45 MHz
Base Number Matches：1

KSB744A 数据手册

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KSB744/744A  
Audio Frequency Power Amplifier  
•
Complement to KSD794/KSD794A  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
-70  
V
CBO  
: KSB744  
: KSB744A  
-45  
-60  
V
V
CEO  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
-5  
V
A
EBO  
I
-3  
-5  
C
I
A
CP  
I
-0.6  
1
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
W
°C  
°C  
C
a
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
10  
C
C
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
T
-55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty Cycle≤50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
-1  
Units  
I
I
V
V
= -45V, I = 0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
= -3V, I = 0  
-1  
C
h
h
V
V
= -5V, I = -20mA  
30  
60  
120  
100  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= -5V, I = -0.5A  
320  
-2  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
I
= -1.5A, I = -0.15A  
-0.5  
-0.8  
45  
V
V
CE  
C
C
C
= -1.5A, I = -0.15A  
-2  
BE  
B
f
V
= -5V, I = -0.1A  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
= -10V, I = 0  
60  
ob  
CB  
E
f = 1MHz  
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2% Pulsed  
h
Cassification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
60 ~ 120  
100 ~ 200  
160 ~ 320  
FE2  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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