5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB708OTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| KSB708R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| KSB708-R | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| KSB708RJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| KSB708RTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| KSB708Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| KSB708YTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| KSB744 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier |
|
| KSB744 | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-126 |
|
| KSB744A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
