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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSB707Y
KSB707Y PDF预览

KSB707Y

更新时间： 2024-11-07 13:02:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSB707Y 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSB707Y 数据手册

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KSB707/708  
Low Frequency Power Amplifier  
•
•
•
Low Speed Switching  
Industrial Use  
Complement to KSD568/569  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
- 80  
V
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
: B707  
: B708  
- 60  
- 80  
V
V
CEO  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
- 7.0  
- 7.0  
V
A
EBO  
I
I
I
C
- 15  
A
CP  
B
- 3.5  
A
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.5  
C
a
T
Junction Temperature  
150  
J
T
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤300µs, Duty Cycle≤10%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Typ.  
Max.  
- 10  
- 10  
200  
Units  
I
I
V
V
= - 60V, I = 0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
E
= - 5V, I = 0  
EB  
C
h
h
V
V
= - 1V, I = - 3A  
40  
20  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 1V, I = - 5A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= - 5A, I = - 0.5A  
- 0.5  
- 1.5  
V
V
CE  
C
C
B
= - 5A, I = - 0.5A  
BE  
B
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2%  
h
Cassification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
60 ~ 120  
100 ~ 200  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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