5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSB707R
KSB707R PDF预览

KSB707R

更新时间： 2024-10-29 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSB707R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSB707R 数据手册

 浏览型号KSB707R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSB707R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KSB707R的Datasheet PDF文件第4页 
KSB707/708  
Low Frequency Power Amplifier  
•
•
•
Low Speed Switching  
Industrial Use  
Complement to KSD568/569  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
- 80  
V
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
: B707  
: B708  
- 60  
- 80  
V
V
CEO  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
- 7.0  
- 7.0  
V
A
EBO  
I
I
I
C
- 15  
A
CP  
B
- 3.5  
A
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.5  
C
a
T
Junction Temperature  
150  
J
T
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤300µs, Duty Cycle≤10%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Typ.  
Max.  
- 10  
- 10  
200  
Units  
I
I
V
V
= - 60V, I = 0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
E
= - 5V, I = 0  
EB  
C
h
h
V
V
= - 1V, I = - 3A  
40  
20  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 1V, I = - 5A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= - 5A, I = - 0.5A  
- 0.5  
- 1.5  
V
V
CE  
C
C
B
= - 5A, I = - 0.5A  
BE  
B
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2%  
h
Cassification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
60 ~ 120  
100 ~ 200  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

中文翻译

下载PDF

与KSB707R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSB707-R SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB707Y FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB707-Y SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB707YJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB708 FAIRCHILD

获取价格

 		Low Frequency Power Amplifier
KSB708 SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB708O FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB708-O SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSB708OTU FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
KSB708R FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti

与KSB707R相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证