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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSB1149YSTU
KSB1149YSTU PDF预览

KSB1149YSTU

更新时间： 2024-10-29 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体二极管晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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KSB1149YSTU 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：4000JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSB1149YSTU 数据手册

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KSB1149  
Low Collector Saturation Voltage  
Built-in Damper Diode at E-C  
•
•
High DC Current Gain  
High Power Dissipation : P =1.3W (T =25°C)  
C
a
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Value  
- 100  
- 100  
- 8  
Units  
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
I
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
- 3  
A
C
- 5  
A
CP  
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.3  
W
W
°C  
°C  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
15  
C
C
T
Junction Temperature  
150  
J
T
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty Cycle≤50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
- 10  
Units  
µA  
I
V
V
= - 100V, I = 0  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
I
= - 5V, I = 0  
- 2  
mA  
C
h
h
V
V
= - 2V, I = - 1.5A  
2000  
1000  
20000  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 3A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Turn ON Time  
I
I
= - 1.5A, I = - 1.5mA  
- 0.9  
- 1.5  
0.5  
2
- 1.2  
- 2  
V
V
CE  
C
C
B
= - 1.5A, I = - 1.5mA  
BE  
B
t
t
t
V
I
= - 40V, I = - 1.5A  
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
= - I = - 1.5mA  
Storage Time  
B1  
B2  
STG  
F
R = 27Ω  
L
Fall Time  
1
* Pulse test: PW≤350µs, duty Cycle≤2% Pulsed  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
h
2000 ~ 5000  
4000 ~ 12000  
6000 ~ 20000  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSB1151 SAMSUNG

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 		PNP (LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT)
KSB1151 FAIRCHILD

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KSB1151 CJ

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 		TO-126
KSB1151G FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
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 		5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

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