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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.35 | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB1151YSTSTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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| KSB1151YSTU | ROCHESTER |
获取价格 |
5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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| KSB1151YSTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
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| KSB1151YSTU | ONSEMI |
获取价格 |
PNP外延硅晶体管 |
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| KSB1151YSTU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| KSB13002AR | SEMIHOW |
获取价格 |
High Voltage Switch Mode Application |
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| KSB13003A | SEMIHOW |
获取价格 |
High Voltage Switch Mode Application |
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| KSB13003AR | SEMIHOW |
获取价格 |
High Voltage Switch Mode Application |
|
| KSB13003ER | SEMIHOW |
获取价格 |
High Voltage Switch Mode Application |
|
| KSB13003H | SEMIHOW |
获取价格 |
High Voltage Switch Mode Application |
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