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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.73 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 9 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB1366GTU | ROCHESTER |
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3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F, 3 PIN |
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| KSB1366GTU | ONSEMI |
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PNP外延硅晶体管 |
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| KSB1366-Y | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSB1366YTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB1A010LFT | ITT |
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Low-profile Tact Switch |
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| KSB1A011LFT | ITT |
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Low-profile Tact Switch |
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| KSB1A012LFT | ITT |
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Low-profile Tact Switch |
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| KSB1A030LFT | ITT |
获取价格 |
Low-profile Tact Switch |
|
| KSB1A031LFT | ITT |
获取价格 |
Low-profile Tact Switch |
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| KSB1A032LFT | ITT |
获取价格 |
Low-profile Tact Switch |
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