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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSB1366G
KSB1366G PDF预览

KSB1366G

更新时间： 2024-11-21 13:02:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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KSB1366G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.21
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：150JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：9 MHz
Base Number Matches：1

KSB1366G 数据手册

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KSB1366  
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER  
•
Complement to KSD2012  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current(DC)  
Base Current  
- 60  
V
CEO  
EBO  
- 7  
V
I
I
- 3  
A
C
- 0.5  
2
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
W
°C  
°C  
C
a
P
T
T
Collector Dissipation (T =25°C)  
25  
C
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I
= - 50mA, I = 0  
- 60  
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= - 60V, I = 0  
- 100  
- 100  
320  
µA  
µA  
CB  
EB  
E
= - 7V, I = 0  
C
h
h
V
V
= - 5V, I = - 0.5A  
100  
20  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 5V, I = - 3A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
I
= - 2A, I = - 0.2A  
- 0.5  
- 0.7  
9
- 1  
- 1  
V
V
CE  
C
B
V
V
= - 5V, I = - 0.5A  
C
BE  
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= - 5V, I = - 0.5A  
MHz  
T
C
h
Classification  
FE  
Classification  
Y
G
h
100 ~ 200  
150 ~ 320  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSB1366-G SAMSUNG

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