是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220F |
包装说明: | TO-220F, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.21 |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 3 A |
集电极-发射极最大电压: | 60 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 150 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 25 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 9 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KSB1366-G | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 | |
KSB1366GTU | ROCHESTER |
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3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F, 3 PIN | |
KSB1366GTU | ONSEMI |
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PNP外延硅晶体管 | |
KSB1366-Y | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 | |
KSB1366YTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 | |
KSB1A010LFT | ITT |
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Low-profile Tact Switch | |
KSB1A011LFT | ITT |
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Low-profile Tact Switch | |
KSB1A012LFT | ITT |
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Low-profile Tact Switch | |
KSB1A030LFT | ITT |
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Low-profile Tact Switch | |
KSB1A031LFT | ITT |
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Low-profile Tact Switch |