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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB13003HR | SEMIHOW |
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High Voltage Switch Mode Application |
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| KSB13060 | POWEREX |
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Power Bipolar Transistor, 600A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| KSB1366 | FAIRCHILD |
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LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
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| KSB1366 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB1366G | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB1366-G | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB1366GTU | ROCHESTER |
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3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F, 3 PIN |
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| KSB1366GTU | ONSEMI |
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PNP外延硅晶体管 |
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| KSB1366-Y | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB1366YTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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