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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSB1151G
KSB1151G PDF预览

KSB1151G

更新时间： 2024-10-29 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 51K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN

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KSB1151G 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：TO-126, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.66
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSB1151G 数据手册

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KSB1151  
Feature  
•
•
•
•
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Large Collector Current  
High Power Dissipation : P =1.3W (T =25°C)  
C
a
Complement to KSD 1691  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 60  
- 60  
- 7  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
CBO  
V
CEO  
EBO  
V
I
I
I
- 5  
A
C
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 8  
A
CP  
B
- 1  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.3  
W
W
°C  
°C  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty Cycle≤50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
µA  
I
V
V
= - 50V, I = 0  
- 10  
- 10  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
I
= - 7V, I = 0  
µA  
C
h
h
h
V
V
V
= - 1V, I = - 0.1A  
60  
100  
50  
FE1  
FE2  
FE3  
CE  
CE  
CE  
C
= - 1V, I = - 2A  
200  
400  
C
= - 2V, I = - 5A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Turn On Time  
I
I
= - 2A, I = - 0.2A  
- 0.14  
- 0.9  
0.15  
0.78  
0.18  
- 0.3  
- 1.2  
1
V
V
CE  
C
C
B
= - 2A, I = - 0.2A  
BE  
B
t
t
t
V
I
= - 10V, I = - 2A  
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
= - I =0.2A  
Storage Time  
B1  
B2  
2.5  
1
STG  
F
RL = 5Ω  
Fall Time  
* Pulse test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2% Pulsed  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
h
100 ~ 200  
160 ~ 320  
200 ~ 400  
FE2  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, May 2003  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSB1151O FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
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KSB1151Y FAIRCHILD

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 		5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
KSB1151YS ONSEMI

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 		PNP外延硅晶体管
KSB1151YSTSTU FAIRCHILD

获取价格

 		5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
KSB1151YSTU ROCHESTER

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 		5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
KSB1151YSTU FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),

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