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KMB4D0N30SA

更新时间： 2024-01-06 15:04:56

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	473K
描述
N-Ch Trench MOSFET

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KMB4D0N30SA 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	0.047 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KMB4D0N30SA 数据手册

SEMICONDUCTOR

KMB4D0N30SA

TECHNICAL DATA

N-Ch Trench MOSFET

General Description

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching

time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche

characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and SMPS.

DIM MILLIMETERS

2.93 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.40+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

FEATURES

V_DSS=30V, I_D=4A

Drain-Source ON Resistance

R_DS(ON)=47m (Max.) @ V_GS=10V

R_DS(ON)=65m (Max.) @ V_GS=4.5V

Super Hige Dense Cell Design

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

SOT-23

MAXIMUM RATING (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_DSS

N-Ch

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

4.0

DC@T_A=25

DC@T_A=70

Pulsed

I_D

KND

Drain Current

3.5

I_DP

I_S

Drain-Source-Diode Forward Current

1.04

1.25

0.8

T_A=25

Drain Power Dissipation

T_A=70

P_D

T_j

Maximum Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

130

R_thJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Note : Surface Mounted on FR4 Board, t 10sec.

PIN CONNECTION (TOP VIEW)

2007. 4. 17

Revision No : 0

1/5

12 3 4 5

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