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KM718V687T-9

更新时间: 2024-11-14 15:36:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 391K
描述
Cache SRAM, 64KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

KM718V687T-9 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91最长访问时间:9 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:100
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX18
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.33 mA
最大供电电压 (Vsup):3.47 V最小供电电压 (Vsup):3.13 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

KM718V687T-9 数据手册

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