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KM718V887-9

更新时间： 2024-11-14 14:34:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	644K
描述
Cache SRAM, 256KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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KM718V887-9 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	9 ns	其他特性：	SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM718V887T-8	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V887T-9	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V889-67	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V889-72	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V889-85	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V890-10	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V890-72	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V890-85	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V895T-60	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V895T67	SAMSUNG	获取价格	256KX18 CACHE SRAM, 3.8ns, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100