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KM718V889-67

更新时间： 2024-11-14 21:11:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	427K
描述
Cache SRAM, 256KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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KM718V889-67 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	3.8 ns	其他特性：	SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

KM718V889-67 数据手册

KM718V889

256Kx18 Synchronous SRAM

Document Title

256Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM

Revision History

REMARK

Rev. No. History

Draft Date

Preliminary

0.0

0.1

0.2

0.3

Initial draft

May . 15. 1997

Change 7.5 bin to 7.2

January . 13 . 1998

February. 02. 1998

Change speed symbol 6.0/6.7/7.2/8.5 to 60/67/72/85

Change DC characteristics VDD condition from VDD=3.3V+10%/-5% Change February. 12. 1998

Input/output leackage currant for ±1mA to ±2mA

Modify Read timing & Power down cycle timing.

Change ISB2 value from 30mA to 20mA.

Remove DC characteristics ISB1 - L ver.& ISB2 - L ver .

Remove Low power version.

Preliminary

0.4

Change Undershoot spec

April. 14. 1998

from -3.0V(pulse width£20ns) to -2.0V(pulse width£tCYC/2)

Add Overshoot spec 4.6V((pulse width£tCYC/2)

Change VIH max from 5.5V to VDD+0.5V

Preliminary

0.5

0.6

Change ISB2 value from 20mA to 30mA.

Change VDD condition from VDD=3.3V+10%/-5% to VDD=3.3V+0.3V/-0.165V.

May.13. 1998

May.14. 1998

Modify DC characteristics( Input Leakage Current test Conditions)

form VDD=VSS to VDD to Max.

Final

1.0

2.0

3.0

Final spec Release

May 15. 1998

Oct. 23. 1998

Feb.10. 1999

Add 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .

Remove 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Feb. 1999

Rev 3.0

- 1 -

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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