是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 3.8 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 149 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.03 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.42 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM718V949T-67T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 | |
KM718V949T-75T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 | |
KM718V987 | SAMSUNG |
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256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM | |
KM718V987-8 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM718V987H-7 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
KM718V989H-60 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
KM718V989T-67 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM718V990T-72000 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM718V990T-85000 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM719N | FRONTIER |
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10mm Adjustable Unshielded IFT Coils |