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KM718V987-8

更新时间： 2024-11-15 08:46:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	936K
描述
Standard SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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KM718V987-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	8.5 ns	其他特性：	ONCHIP ADDRESS COUNTER; SELF TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM718V987H-7	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
KM718V989H-60	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
KM718V989T-67	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V990T-72000	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V990T-85000	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM719N	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Unshielded IFT Coils
KM719N-LFR	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Unshielded IFT Coils
KM720N	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Unshielded IFT Coils
KM720N-LFR	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Unshielded IFT Coils
KM721N	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Shielded RF Coil (I)