Datasheet > KM718V990T-85000

KM718V990T-85000

更新时间： 2024-11-14 14:51:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	466K
描述
Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KM718V990T-85000 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	4.2 ns
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

KM718V990T-85000 数据手册

KM736V890

KM718V990

256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM

Document Title

256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM

Revision History

Draft Date

Rev. No.

History

Remark

May. 07 . 1998

June .08. 1998

Preliminary

0.0

0.1

Initial draft

Modify DC characteristics( Input Leakage Current test Conditions)

form VDD=VSS to VDD to Max.

Aug. 20. 1998 Preliminary

Aug. 27. 1998 Preliminary

0.2

0.3

Remove 119BGA Package Type.

Change DC Characteristics.

ISB value from 65mA to 110mA at -72

ISB value from 60mA to 110mA at -85

ISB value from 50mA to 100mA at -10

ISB1 value from 10mA to 30mA

ISB2 value from 10mA to 30mA

Sep. 09. 1998 Preliminary

0.4

1. Changed tCD from 4.0ns to 4.2ns at -85.

Changed tOE from 4.0ns to 4.2ns at -85.

2. Changed DC condition at Icc and parameters

Icc ; from 375mA to 400mA at -72,

from 340mA to 380mA at -85,

from 300mA to 350mA at -10,

ISB ; from 110mA to 130mA at -72,

from 110mA to 130mA at -85,

from 100mA to 120mA at -10

Dec. 10. 1998

Dec. 23. 1998

Jan. 29. 1999

Feb. 25. 1999

May. 13. 1999

Preliminary

Final

0.5

0.6

1.0

2.0

3.0

ADD VDDQ Supply voltage( 2.5V )

Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V at 2.5V I/O.

Final spec Release.

Final

1. Remove VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

1. Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

Final

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

May 1999

Rev 3.0

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与KM718V990T-85000相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM719N	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Unshielded IFT Coils
KM719N-LFR	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Unshielded IFT Coils
KM720N	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Unshielded IFT Coils
KM720N-LFR	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Unshielded IFT Coils
KM721N	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Shielded RF Coil (I)
KM721N-LFR	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Shielded RF Coil (I)
KM722N	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Shielded RF Coil (I)
KM722N-LFR	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Shielded RF Coil (I)
KM723N	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Shielded RF Coil (I)
KM723N-LFR	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Shielded RF Coil (I)

与KM718V990T-85000相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

6
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

3
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

29
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

KM718V990T-85000

KM718V990T-85000 技术参数

KM718V990T-85000 数据手册

与KM718V990T-85000相关器件

与KM718V990T-85000相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

KM718V990T-85000

KM718V990T-85000 技术参数

KM718V990T-85000 数据手册

与KM718V990T-85000相关器件

与KM718V990T-85000相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？