Datasheet > KM718V949T-67T

KM718V949T-67T

更新时间： 2024-11-14 15:45:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	390K
描述
ZBT SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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KM718V949T-67T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	3.8 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

KM718V949T-67T 数据手册

KM736V849

KM718V949

256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

256Kx36-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Rev. No.

History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

1. Initial document.

June. 09. 1998

Aug. 19. 1998

Preliminary

1. Changed DC parameters

ICC; from 450mA to 420mA at 150MHZ.

ISB1; from 10mA to 20mA, ISB2 ; from 10mA to 20mA.

0.2

0.3

1. Changed tCD from 4.0ns to 4.2ns at -75

2. Changed DC condition at Icc and parameters

ISB1 ; from 20mA to 30mA,

Sep. 09. 1998

Oct. 15. 1998

Preliminary

ISB2 ; from 20mA to 30mA.

1. ADD 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .

2. ADD x32 organization.

0.4

1.0

1.Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V at 2.5V I/O.

Dec. 23 .1998

Jan. 29. 1999

Preliminary

Final

1. Final Spec Release.

2. Remove x32 organization.

2.0

3.0

4.0

1. Remove VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

Feb. 25. 1999

Mar. 22. 1999

May. 13. 1999

Nov. 19. 1999

Final

1. Changed tOE from 4.2ns to 3.8ns at -75 , from 5.0ns to 3.8ns at -10

1. Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

1. Add tCYC 167MHz and 200MHz.

2. Remove 119BGA package.

5.0

3. Changed DC condition at Icc and parameters

Icc ; from 420mA to 350mA at -67,

from 370mA to 300mA at -75,

from 300mA to 250mA at -10,

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

November 1999

Rev 5.0

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM718V949T-75T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
KM718V987	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM
KM718V987-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V987H-7	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
KM718V989H-60	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
KM718V989T-67	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V990T-72000	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM718V990T-85000	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
KM719N	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Unshielded IFT Coils
KM719N-LFR	FRONTIER	获取价格	10mm Adjustable Unshielded IFT Coils

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