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KM718V947T-80000

更新时间： 2024-11-15 06:17:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	385K
描述
ZBT SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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KM718V947T-80000 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	8.5 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

KM718V947T-80000 数据手册

KM736V847

KM718V947

256Kx36 & 512Kx18 Flow-Through NtRAM^TM

Document Title

256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM^TM

Revision History

Rev. No.

History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

1. Initial document.

April. 09. 1998

June. 02. 1998

Preliminary

Modify from ADV to ADV at timing.

Add the Trade Mark( NtRAM^TM

)

0.2

Sep. 09. 1998

Preliminary

1. Changed tCD from 8.0ns to 8.5ns at -8

2. Changed tCYC from 13.0ns to 12.0ns at -10

3. Changed DC condition at Icc and parameters

Icc ; from 240mA to 260mA at -10,

ISB1 ; from 10mA to 30mA,

ISB2 ; from 10mA to 30mA.

0.3

Oct. 15. 1998

Preliminary

1. ADD 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .

2. ADD x32 organization

0.4

0.5

1.0

Dec. 10. 1998

Dec. 23. 1998

Jan. 29. 1999

Preliminary

Final

ADD VDDQ Supply voltage( 2.5V )

Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V at 2.5V I/O.

1. Final Spec Release.

2. Remove x32 organization.

2.0

3.0

4.0

Feb. 25. 1999

May. 13. 1999

Nov. 19. 1999

Final

1. Remove VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

1. Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )

1. Add tCYC 117MHz.

2. Remove 119BGA package.

3. Change tCYC from 12ns to 10ns at -9.

4. Changed DC condition at Icc and parameters

Icc ; from 300mA to 280mA at -8,

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

November 1999

Rev 4.0

12 3 4 5 6 7...17

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