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KM718V947H-8

更新时间： 2024-11-14 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 456K
描述
ZBT SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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KM718V947H-8 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：119
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：8.5 ns
其他特性：SELF-TIMED WRITE CYCLE; POWER DOWN OPTIONJESD-30 代码：R-PBGA-B119
长度：22 mm内存密度：9437184 bit
内存集成电路类型：ZBT SRAM内存宽度：18
功能数量：1端子数量：119
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX18
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM宽度：14 mm
Base Number Matches：1

KM718V947H-8 数据手册

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KM736V847  
KM718V947  
256Kx36 & 512Kx18 Flow-Through NtRAMTM  
Document Title  
256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAMTM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
0.1  
1. Initial document.  
April. 09. 1998  
June. 02. 1998  
Preliminary  
Preliminary  
Modify from ADV to ADV at timing.  
Add the Trade Mark( NtRAMTM  
)
0.2  
Sep. 09. 1998  
Preliminary  
1. Changed tCD from 8.0ns to 8.5ns at -8  
2. Changed tCYC from 13.0ns to 12.0ns at -10  
3. Changed DC condition at Icc and parameters  
Icc ; from 240mA to 260mA at -10,  
ISB1 ; from 10mA to 30mA,  
ISB2 ; from 10mA to 30mA.  
0.3  
Oct. 15. 1998  
Preliminary  
1. ADD 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .  
2. ADD x32 organization  
0.4  
0.5  
1.0  
Dec. 10. 1998  
Dec. 23. 1998  
Jan. 29. 1999  
Preliminary  
Preliminary  
Final  
ADD VDDQ Supply voltage( 2.5V )  
Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V at 2.5V I/O.  
1. Final Spec Release.  
2. Remove x32 organization.  
2.0  
3.0  
Feb. 25. 1999  
May. 13. 1999  
Final  
Final  
1. Remove VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )  
1. Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
May 1999  
Rev 3.0  
1234567...20

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与KM718V947H-8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM718V947H-9 SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 512KX18, 9ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
KM718V947T-10000 SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
KM718V947T-7 SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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 		ZBT SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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 		ZBT SRAM, 512KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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