Datasheet > KM616FS2000ZI-15

KM616FS2000ZI-15

更新时间： 2024-09-21 19:43:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
2页	152K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 150ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, CSP-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KM616FS2000ZI-15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	150 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	8 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.81 mm
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM616FS2010A	SAMSUNG	获取价格	SRAM
KM616FS2010AZI-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, MICRO, BGA-48
KM616FS2010AZI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, MICRO, BGA-48
KM616FS4110ZI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8.20 X 8.70 MM, MICRO, BGA-48
KM616FU1000R-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
KM616FU1000R-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
KM616FU1000TI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
KM616FU1000TI-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
KM616FU1010AFI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
KM616FU2000ATI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44