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KM616FU8110FI-7

更新时间： 2024-09-21 19:57:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	159K
描述
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

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KM616FU8110FI-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	12 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000006 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

Advance

CMOS SRAM

KM616FU8110 Family

Document Title

512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

0.0 Initial draft

Draft Date

Remark

June 23, 1999

Advance

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to yourquestions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 0.0

June 1999

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM616FU8110FI-70	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
KM616FV1000R-7L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
KM616FV1000R-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
KM616FV1000RI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
KM616FV1000RI-7L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
KM616FV1000RI-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
KM616FV1000RI-8L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
KM616FV1000T-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM616FV1000T-8L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
KM616FV2000R-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44