Datasheet > KM616FU1010AFI-7

KM616FU1010AFI-7

更新时间： 2024-11-08 19:53:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	267K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

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KM616FU1010AFI-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	7 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000001 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM616FU2000ATI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM616FU2000R-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
KM616FU2000RI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
KM616FU2000RI-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
KM616FU2000T-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44
KM616FU2000TI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
KM616FU2010AZI-10	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
KM616FU4010ZI-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, 8.20 X 8.70 MM, MICRO, BGA-48
KM616FU4010ZI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8.20 X 8.70 MM, MICRO, BGA-48
KM616FU4110ZI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8.20 X 8.70 MM, MICRO, BGA-48