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KM616FU1010AFI-7

更新时间: 2024-11-10 19:53:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 267K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

KM616FU1010AFI-7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA48,6X8,30
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e0长度:7 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:48字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000001 A最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:6 mm
Base Number Matches:1

KM616FU1010AFI-7 数据手册

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