是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2-R, TSOP44,.46,32 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2-R |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.000006 A |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM616FU8000TI-5 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
KM616FU8000TI-7 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
KM616FU8110FI-7 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 | |
KM616FU8110FI-70 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 | |
KM616FV1000R-7L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FV1000R-8 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FV1000RI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FV1000RI-7L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FV1000RI-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FV1000RI-8L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 |