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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP, TSOP44,.46,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 反向引出线： | YES |
| 最大待机电流： | 0.000001 A | 最小待机电流： | 1 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM616FU2000RI-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 |
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| KM616FU2000T-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 |
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| KM616FU2000TI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 |
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| KM616FU2010AZI-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| KM616FU4010ZI-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, 8.20 X 8.70 MM, MICRO, BGA-48 |
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| KM616FU4010ZI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8.20 X 8.70 MM, MICRO, BGA-48 |
|
| KM616FU4110ZI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8.20 X 8.70 MM, MICRO, BGA-48 |
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| KM616FU8000R-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
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| KM616FU8000RI-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
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| KM616FU8000RI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
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