是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSOP, TSOP44,.46,32 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
端子数量: | 44 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 反向引出线: | YES |
最大待机电流: | 0.000001 A | 最小待机电流: | 1 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM616FU2000RI-7 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FU2000RI-8 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FU2000T-8 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FU2000TI-7 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FU2010AZI-10 | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
KM616FU4010ZI-10 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, 8.20 X 8.70 MM, MICRO, BGA-48 | |
KM616FU4010ZI-7 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8.20 X 8.70 MM, MICRO, BGA-48 | |
KM616FU4110ZI-7 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 8.20 X 8.70 MM, MICRO, BGA-48 | |
KM616FU8000R-5 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 | |
KM616FU8000RI-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |