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KM616FU2000ATI-7

更新时间: 2024-11-08 20:07:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 134K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

KM616FU2000ATI-7 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:18.41 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

KM616FU2000ATI-7 数据手册

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KM616FU2000A Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
1.0  
2.0  
Initial Draft  
Finalize  
October 23, 1998  
Preliminary  
December 9, 1998 Final  
May 12, 1999 Final  
Revise  
- Change VDR=1.0 to 1.5V  
- Change IDR test condition ; VCC=1.2 to 1.5V  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
- 1 -  
Revision 2.0  
May 1999  

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