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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | VFBGA, BGA48,6X8,30 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | BATTERY BACKUP OPERATION | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 8.7 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 0.94 mm | 最小待机电流： | 1 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.4 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 8.2 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM616FU1000R-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 |
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| KM616FU1000R-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 |
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| KM616FU1000TI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 |
|
| KM616FU1000TI-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 |
|
| KM616FU1010AFI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 |
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| KM616FU2000ATI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| KM616FU2000R-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 |
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| KM616FU2000RI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 |
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| KM616FU2000RI-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 |
|
| KM616FU2000T-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 |
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