是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | VFBGA, BGA48,6X8,30 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | BATTERY BACKUP OPERATION | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 8.7 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.94 mm | 最小待机电流: | 1 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8.2 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM616FU1000R-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FU1000R-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FU1000TI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FU1000TI-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FU1010AFI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 | |
KM616FU2000ATI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
KM616FU2000R-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FU2000RI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FU2000RI-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 | |
KM616FU2000T-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 |