KDT5001A

更新时间： 2024-11-20 03:47:43

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1页	62K
描述
Phototransistor

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KDT5001A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.16	最大暗电源：	100 nA
安装特点：	SURFACE MOUNT	最大通态电流：	0.02 A
峰值波长：	880 nm	最大功率耗散：	0.075 W
子类别：	Photo Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

KDT5001A 数据手册

NEW PRODUCT

Silicon photo transistor KDT5001A

Description

The KDT5001A is high sensitivity silicon photo transistor which converts

light to electrical signal.

This photo transistor is both COB package and easy to mount.

Features

- Higly sensitive photo transistor.

- Chip On Board package.

- High speed response.

Application

- AV Instrumemts.

- Touch panels for ATM & FA epuiments.

- Optical counter

Outline Dimensions

Pin Description

① EMITTER

② COLECTOR

ELECTRO- OPTICAL CHARACTERISTICS

[Ta= 25

]

Description

Dark Current

Symbol

Condition

Min. Typ. Max.

Unit

I_CEO

V_CE=10V, E_E=0

100

_CE=5V, E_E=0.5mW/cm²

_PK=640nm

I_PCE

Photo Current

1.2

2.4

Spectral Sensitivity

Peek wavelength

Viewing Angle

500~1050

880

V_R=0V

deg.

1/2

IC=100 , E_E=0.5mW/cm²,

_PK=640nm

V_CE(SAT)

Collector-Emitter Saturation Voltage

200

Issued Date : Feb. 2006

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