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KDS200

更新时间: 2024-11-17 22:32:23
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KEC 二极管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 108K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)

KDS200 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.76二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 V最大非重复峰值正向电流:0.3 A
最大输出电流:0.1 A最大重复峰值反向电压:80 V
最大反向恢复时间:0.004 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YESBase Number Matches:1

KDS200 数据手册

  

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RDS(ON) = 0.040 (Typ.), VGS = 10V Maximized efficiency at high frequencies