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KDS112

更新时间: 2024-11-17 22:32:23
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KEC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 132K
描述
SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE (VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS)

KDS112 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.73
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS最大二极管电容:1.2 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
频带:VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

KDS112 数据手册

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