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KDS120

更新时间: 2024-11-17 22:32:23
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KEC 二极管开关光电二极管局域网
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1页 115K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)

KDS120 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:USM, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.66
Is Samacsys:N配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.1 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

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