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KDS126T

更新时间: 2024-11-18 11:29:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 372K
描述
TS6 PACKAGE

KDS126T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.76Is Samacsys:N
配置:2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G6
元件数量:4端子数量:6
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.9 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KDS126T 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
MARKING SPECIFICATION  
KDS126T  
TS6 PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking  
2. Marking  
2
1
U B  
No.  
Item  
Marking  
Description  
KDS126T  
Device Mark  
UB  
JA  
2005. 1st Week  
[ 0 : 1st Chracter, 1:2nd Character ]  
* Lot No.  
Note) * Lot No. marking method  
Lot No.  
Description  
Remark  
01 : 2002. 1st Week,  
02 : 2002. 2nd Week  
01, 02 ....51, 52  
51 : 2002. 51th Week,  
52 : 2002. 52th Week.  
0A : 2003. 1st Week,  
0B : 2003. 2nd Week  
0A, 0B ....5A, 5B**  
J1, J2 ....E1, E2**  
JA, JB ....EA, EB**  
Rotation for 4 years :  
5A : 2003. 51th Week,  
5B : 2003. 52th Week.  
01...52 : ...2002, 2006, 2010...  
0A...5B : ...2003, 2007, 2011...  
J1...E2 : ...2004, 2008, 2012...  
JA...EB : ...2005, 2009, 2013...  
J1 : 2004. 1st Week,  
J2 : 2004. 2nd Week  
E1 : 2004. 51th Week,  
E2 : 2004. 52th Week.  
JA : 2005. 1st Week,  
JB : 2005. 2nd Week  
EA : 2005. 51th Week,  
EB : 2005. 52th Week.  
** : Meaning (A=1, B=2, C=3, D=4, E=5, F=6, G=7, H=8, I=9, J=0)  
2006. 2. 23  
Revision No : 0  
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