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KDS123E

更新时间： 2024-11-21 11:29:27

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KEC		二极管光电二极管局域网
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3页	441K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDS123E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	80 V
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

KDS123E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDS123E

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

Low Forward Voltage

MILLIMETERS

1.60+0.10

DIM

Fast Reverse Recovery Time

Small Total Capacitance

Ultra- Small Surface Mount Package

0.85 0.10

0.70+0.10

0.27+0.10/-0.05

1.60+0.10

1.00+0.10

0.50

0.13 0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL RATING

UNIT

V_RM

V_R

I_FM

I_O

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

1. CATHODE 2

2. ANODE 1

Maximum (Peak) Forward Current

Average Forward Current

Surge Current (10mS)

300*

100*

3. ANODE 2 / CATHODE 1

I_FSM

P_D

Power Dissipation

100

ESM

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

* Unit Rating. Total Rating=Unit Rating 0.7

Marking

Type Name

U S

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Forward Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

1.2

UNIT

V_F

I_R

I_F=100mA

V_R=80V

V_R=6V, f=1MHz

Reverse Current

0.1

C_T

Total Capacitance

3.5

2007. 10. 31

Revision No : 0

1/3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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