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KDS166F

更新时间： 2024-09-15 11:29:27

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KEC		二极管光电二极管局域网
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2页	35K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDS166F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

KDS166F 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDS166F

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

Small package : TFSV.

Low forward voltage.

Fast reverse recovery time.

Small total capacitance.

DIM MILLIMETERS

1.0 0.05

0.7 0.05

1.0 0.05

0.8 0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

0.35

0.15 0.05

SYMBOL RATING

UNIT

0.38+0.02/-0.04

0.1 0.05

V_RM

V_R

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

1. ANODE 1

2. N.C

3. ANODE 2

4. CATHODE 2

5. CATHODE 1

I_FM

I_O

Maximum (Peak) Forward Current

Average Forward Current

Surge Current (10mS)

300

100

I_FSM

P_D*

T_j

Power Dissipation

100

TFSV

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

* : Unit rating. Total rating=unit rating 1.5

-55 150

Marking

Lot No.

D1 D2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_F(1)

V_F(2)

V_F(3)

I_R

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

0.60

0.72

0.90

MAX.

UNIT

I_F=1mA

I_F=10mA

Forward Voltage

I_F=100mA

V_R=80V

1.20

0.5

3.0

4.0

Reverse Current

C_T

V_R=0V, f=1MHz

I_F=10mA

Total Capacitance

Reverse Recovery Time

0.9

t_rr

1.6

2006. 1. 13

Revision No : 0

1/2

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