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KDS123S

更新时间： 2024-11-18 12:20:23

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KEC		二极管光电二极管局域网
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3页	441K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDS123S 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.71	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	80 V	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

KDS123S 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDS123S

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

Low Forward Voltage

DIM

MILLIMETERS

Fast Reverse Recovery Time

Small Total Capacitance

Ultra- Small Surface Mount Package

2.93 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

SYMBOL RATING

UNIT

V_RM

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_R

I_FM

I_O

300*

100*

1. CATHODE 2

2. ANODE 1

Maximum (Peak) Forward Current

Average Forward Current

Surge Current (10mS)

3. ANODE 2/CATHODE 1

I_FSM

P_D

Power Dissipation

150

SOT-23

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

* Unit Rating. Total Rating=Unit Rating 0.7

Marking

Lot. No.

Type Name

U S

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Forward Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

1.2

UNIT

V_F

I_R

I_F=100mA

V_R=80V

V_R=6V, f=1MHz

Reverse Current

0.1

C_T

Total Capacitance

3.5

2007. 10. 31

Revision No : 0

1/3

12 3

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