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KDS121E

更新时间： 2024-11-18 03:47:43

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KEC		二极管光电二极管局域网
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1页	163K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDS121E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ESM, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.1 W
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

KDS121E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDS121E

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

·Small Package

·Low Forward Voltage

: ESM.

MILLIMETERS

DIM

: V_F=0.9V (Typ.).

1.60+0.10

·Fast Reverse Recovery Time : t_rr=1.6ns(Typ.).

·Small Total Capacitance : C_T=0.9pF (Typ.).

0.85 0.10

0.70+0.10

0.27+0.10/-0.05

1.60 0.10

1.00 0.10

0.50

0.13+0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_RM

V_R

RATING

UNIT

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

1. ANODE 1

2. ANODE 2

3. CATHODE

I_FM

Maximum (Peak) Forward Current

Average Forward Current

Surge Current (10ms)

300 *

100 *

2 *

I_O

I_FSM

P_D

Power Dissipation

100

℃

ESM

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼150

℃

Note : * Unit Rating. Total Rating=Unit Rating x 1.5

Marking

B 3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

0.60

0.72

0.90

MAX.

UNIT

V_F(1)

V_F(2)

V_F(3)

I_R

I_F=1mA

I_F=10mA

Forward Voltage

I_F=100mA

V_R=80V

1.20

0.5

3.0

4.0

Reverse Current

μA

C_T

V_R=0, f=1MHz

I_F=10mA

Total Capacitance

Reverse Recovery Time

0.9

t_rr

1.6

2002. 6. 3

Revision No : 3

1/1

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