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KDS121E_07

更新时间： 2024-11-18 11:29:27

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KEC		二极管局域网
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2页	446K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDS121E_07 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDS121E

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

Small Package

: ESM.

MILLIMETERS

1.60+0.10

DIM

Low Forward Voltage

: V_F=0.9V (Typ.).

Fast Reverse Recovery Time : t_rr=1.6ns(Typ.).

Small Total Capacitance : C_T=0.9pF (Typ.).

0.85 0.10

0.70+0.10

0.27+0.10/-0.05

1.60 0.10

1.00 0.10

0.50

0.13+0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

V_RM

V_R

RATING

UNIT

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

1. ANODE 1

2. ANODE 2

3. CATHODE

I_FM

Maximum (Peak) Forward Current

Average Forward Current

Surge Current (10ms)

300 *

100 *

2 *

I_O

I_FSM

P_D

Power Dissipation

100

ESM

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

Note : * Unit Rating. Total Rating=Unit Rating x 1.5

Marking

B 3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_F(1)

V_F(2)

V_F(3)

I_R

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

0.60

0.72

0.90

MAX.

UNIT

I_F=1mA

I_F=10mA

Forward Voltage

I_F=100mA

V_R=80V

1.20

0.5

3.0

4.0

Reverse Current

C_T

V_R=0, f=1MHz

I_F=10mA

Total Capacitance

Reverse Recovery Time

0.9

t_rr

1.6

2007. 5. 10

Revision No : 3

1/2

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