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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.68 | 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 85 V | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KDS120V | KEC |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE |
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| KDS121 | KEC |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) |
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| KDS121_08 | KEC |
获取价格 |
USM PACKAGE |
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| KDS121E | KEC |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
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| KDS121E_07 | KEC |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
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| KDS121V | KEC |
获取价格 |
VSM PACKAGE |
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| KDS122 | KEC |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) |
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| KDS122_08 | KEC |
获取价格 |
USM PACKAGE |
|
| KDS123E | KEC |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
|
| KDS123S | KEC |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
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