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KDS112E

更新时间: 2024-11-18 11:29:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 23K
描述
ESM PACKAGE

KDS112E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.73
Is Samacsys:N配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容:1.2 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE频带:VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDSO-F3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

KDS112E 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
MARKING SPECIFICATION  
KDS112E  
ESM PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking  
2. Marking  
BF  
No.  
Item  
Marking  
Description  
Device Mark  
BF  
-
KDS112E  
-
hFE Grade  
2000. 12. 27  
Revision No : 0  
1/1  

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