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KDS115_08

更新时间： 2024-11-18 11:29:27

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KEC		二极管局域网
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2页	32K
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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KDS115_08 数据手册

SEMICONDUCTOR

KDS115

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS.

FEATURES

· Small Package.

DIM MILLIMETERS

· Small Total Capacitance : C_T=1.2pF(Max.).

· Low Series Resistance : r_S=0.6Ω (Typ.).

2.00 0.20

1.25 0.15

0.90+0.10

0.3+0.10/-0.05

2.10 0.20

0.65

0.15+0.1/-0.06

1.30

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

0.00-0.10

0.70

CHARACTERISTIC

Reverse Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

0.42 0.10

0.10 MIN

V_R

I_F

Forward Current

℃

1. CATHODE 1

2. ANODE 2

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature Range

125

T_stg

-55∼ 125

℃

3. ANODE1/ CATHODE 2

USM

Marking

Lot No.

Type Name

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Forward Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

0.85

0.1

UNIT

V_F

I_R

I_F=2mA

V_R=15V

Reverse Current

Reverse Voltage

Total Capacitance

Series Resistance

μA

V_R

C_T

r_s

I_R=1μA

V_R=6V, f=1MHz

0.8

0.6

1.2

I_F=2mA, f=100MHz

0.9

Ω

2008. 9. 8

Revision No : 2

1/2

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