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K6R1008V1B-TI8T PDF预览

K6R1008V1B-TI8T

更新时间： 2024-01-12 16:06:26
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 184K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32

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K6R1008V1B-TI8T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP, TSOP32,.46Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：8 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP32,.46封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.005 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

K6R1008V1B-TI8T 数据手册

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Preliminary  
PRELIMINARY  
CMOS SRAM  
K6R1008V1B-C/B-L, K6R1008V1B-I/B-P  
128K x 8 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating)  
FEATURES  
• Fast Access Time 8,10,12ns(Max.)  
• Low Power Dissipation  
GENERAL DESCRIPTION  
The K6R1008V1B is a 1,048,576-bit high-speed Static Ran-  
dom Access Memory organized as 131,072 words by 8 bits.  
The K6R1008V1B uses 8 common input and output lines and  
has an output enable pin which operates faster than address  
access time at read cycle. The device is fabricated using SAM-  
SUNG¢s advanced CMOS process and designed for high-  
speed circuit technology. It is particularly well suited for use in  
Standby (TTL)  
(CMOS) : 5mA(Max.)  
0.7mA(Max.) - L-Ver. only  
Operating K6R1008V1B-8 : 160mA(Max.)  
K6R1008V1B-10 : 155mA(Max.)  
K6R1008V1B-12 : 150mA(Max.)  
• Single 3.3±0.3V Power Supply  
• TTL Compatible Inputs and Outputs  
• Fully Static Operation  
: 50mA(Max.)  
high-density  
high-speed  
system  
applications.  
The  
K6R1008V1B is packaged in a 400mil 32-pin plastic SOJ or  
TSOP2 forward.  
- No Clock or Refresh required  
• Three State Outputs  
ORDERING INFORMATION  
• 2V Minimum Data Retention ; L-Ver. only  
• Center Power/Ground Pin Configuration  
• Standard Pin Configuration  
K6R1008V1B-C8/C10/C12  
K6R1008V1B-I8/I10/I12  
Commercial Temp.  
Industrial Temp.  
K6R1008V1B-J : 32-SOJ-400  
K6R1008V1B-T : 32-TSOP2-400CF  
PIN CONFIGURATION(Top View)  
A0  
A1  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 A16  
31 A15  
30 A14  
29 A13  
28 OE  
27 I/O8  
26 I/O7  
25 Vss  
24 Vcc  
23 I/O6  
22 I/O5  
21 A12  
20 A11  
19 A10  
18 A9  
17 A8  
A2  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
A3  
CS  
I/O1  
I/O2  
Vcc  
Vss  
Clk Gen.  
Pre-Charge Circuit  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
SOJ/  
TSOP2  
Memory Array  
256 Rows  
512x8 Columns  
I/O3 10  
I/O4 11  
WE 12  
A4 13  
A5 14  
A6 15  
A7 16  
A5  
A6  
A7  
Data  
Cont.  
I/O Circuit  
Column Select  
I/O1~I/O8  
CLK  
Gen.  
PIN FUNCTION  
A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16  
Pin Name  
A0 - A16  
WE  
Pin Function  
Address Inputs  
Write Enable  
Chip Select  
CS  
CS  
WE  
OE  
OE  
Output Enable  
Data Inputs/Outputs  
Power(+3.3V)  
Ground  
I/O1 ~ I/O8  
VCC  
VSS  
N.C  
No Connection  
Rev 2.1  
August 1998  
- 2 -  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K6R1008V1B-TL10 SAMSUNG

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