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Datasheet > K6R1008V1B-TI8T
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K6R1008V1B-TI8T

更新时间： 2024-02-10 17:00:14
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 184K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32

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K6R1008V1B-TI8T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP, TSOP32,.46Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：8 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP32,.46封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.005 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

K6R1008V1B-TI8T 数据手册

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Preliminary  
PRELIMINARY  
CMOS SRAM  
K6R1008V1B-C/B-L, K6R1008V1B-I/B-P  
Units:millimeters/Inches  
PACKAGE DIMENSIONS  
32-SOJ-400  
#32  
#17  
9.40 ±0.25  
0.370 ±0.010  
11.18 ±0.12  
0.440 ±0.005  
+0.10  
-0.05  
0.20  
0.008 +0.004  
#1  
#16  
-0.002  
0.69  
MIN  
21.36  
MAX  
0.841  
0.027  
20.95 ±0.12  
0.825 ±0.005  
1.30  
0.051  
1.30  
0.051  
(
(
)
)
0.10  
0.004  
3.76  
0.148  
MAX  
MAX  
+0.10  
-0.05  
+0.10  
-0.05  
+0.004  
-0.002  
0.71  
0.43  
1.27  
0.050  
0.95  
0.0375  
0.028 +0.004  
(
)
0.017  
-0.002  
32-TSOP2-400CF  
0~8°  
0.25  
0.010  
(
)
#32  
#17  
0.45 ~0.75  
0.018 ~ 0.030  
11.76 ±0.20  
0.463 ±0.008  
0.50  
0.020  
(
)
#1  
#16  
+0.10  
-0.05  
+0.004  
-0.002  
0.15  
21.35  
0.841  
MAX  
0.006  
20.95 ±0.10  
0.825 ±0.004  
1.00 ±0.10  
0.10 MAX  
0.004 MAX  
1.20  
0.047  
MAX  
0.039 ±0.004  
1.27  
0.050  
0.95  
0.037  
0.05  
0.40 ±0.10  
0.016 ±0.004  
(
)
MIN  
0.002  
Rev 2.1  
August 1998  
- 9 -  
1...6789

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		128Kx8 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating).
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