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K6R1008V1B-TI8T

更新时间： 2024-01-01 22:42:16

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	184K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32

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技术参数
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K6R1008V1B-TI8T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP32,.46	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	8 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP32,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K6R1008V1B-TI8T 数据手册

Preliminary

PRELIMINARY

CMOS SRAM

K6R1008V1B-C/B-L, K6R1008V1B-I/B-P

TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(2) (WE=VIH)

tRC

Address

tAA

tHZ(3,4,5)

tCO

tOE

tOHZ

tOLZ

tOH

tLZ(4,5)

Data out

Valid Data

tPU

tPD

ICC

VCC

50%

ISB

Current

NOTES(READ CYCLE)

1. WE is high for read cycle.

2. All read cycle timing is referenced from the last valid address to the first transition address.

3. tHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit condition and are not referenced to VOH or

VOL levels.

4. At any given temperature and voltage condition, tHZ(Max.) is less than tLZ(Min.) both for a given device and from device to

device.

5. Transition is measured ±200mV from steady state voltage with Load(B). This parameter is sampled and not 100% tested.

6. Device is continuously selected with CS=VIL.

7. Address valid prior to coincident with CS transition low.

8. For common I/O applications, minimization or elimination of bus contention conditions is necessary during read and write

cycle.

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (OE= Clock)

tWC

Address

tWR(5)

tAW

tCW(3)

tWP(2)

tAS(4)

tDW

tDH

High-Z

Data in

Valid Data

tOHZ(6)

High-Z(8)

Data out

Rev 2.1

August 1998

- 6 -

1...3 4 567 8 9

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与K6R1008V1B-TI8T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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