Datasheet > K6R1008V1B-TI8T

K6R1008V1B-TI8T

更新时间： 2024-01-31 23:35:41

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	184K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K6R1008V1B-TI8T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP32,.46	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	8 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP32,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K6R1008V1B-TI8T 数据手册

Preliminary

PRELIMINARY

CMOS SRAM

K6R1008V1B-C/B-L, K6R1008V1B-I/B-P

AC CHARACTERISTICS(TA=0 to 70°C, VCC=3.3±0.3V, unless otherwise noted.)

TEST CONDITIONS*

Parameter

Value

0V to 3V

Input Pulse Levels

Input Rise and Fall Times

3ns

1.5V

Input and Output timing Reference Levels

Output Loads

See below

* The above test conditions are also applied at industrial temperature range.

Output Loads(A)

Output Loads(B)

for tHZ, tLZ, tWHZ, tOW, tOLZ & tOHZ

+3.3V

RL = 50W

DOUT

VL = 1.5V

30pF*

319W

DOUT

ZO = 50W

353W

5pF*

* Capacitive Load consists of all components of the

test environment.

* Including Scope and Jig Capacitance

READ CYCLE*

K6R1008V1B-8

K6R1008V1B-10

K6R1008V1B-12

Parameter

Symbol

Unit

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Read Cycle Time

tRC

tAA

tCO

tOE

tLZ

Address Access Time

Chip Select to Output

Output Enable to Valid Output

Chip Enable to Low-Z Output

Output Enable to Low-Z Output

Chip Disable to High-Z Output

Output Disable to High-Z Output

Output Hold from Address Change

Chip Selection to Power Up Time

Chip Selection to Power DownTime

tOLZ

tHZ

tOHZ

tOH

tPU

tPD

* The above parameters are also guaranteed at industrial temperature range.

Rev 2.1

August 1998

- 4 -

1 2 345 6 7...9

下载PDF

与K6R1008V1B-TI8T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K6R1008V1B-TL10	SAMSUNG	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32	获取价格
K6R1008V1B-TL10T	SAMSUNG	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32	获取价格
K6R1008V1B-TL12	SAMSUNG	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32	获取价格
K6R1008V1B-TL12T	SAMSUNG	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32	获取价格
K6R1008V1B-TL8T	SAMSUNG	Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32	获取价格
K6R1008V1B-TP10	SAMSUNG	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32	获取价格