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K4T56163QN-HCE7T

更新时间： 2024-11-02 18:09:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
42页	977K
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DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84,

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K4T56163QN-HCE7T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e1
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	端子数量：	84
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn97.0Ag2.5Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

K4T56163QN-HCE7T 数据手册

Rev. 1.03, Feb. 2010

K4T56163QN

256Mb N-die DDR2 SDRAM

84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.

Products and specifications discussed herein are for reference purposes only. All information discussed

herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind.

This document and all information discussed herein remain the sole and exclusive property of Samsung

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T56163QN-HCF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T56163QN-HCF7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84,
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K4T56163QN-HCF80	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
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K4U52324QE-BC08T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX32, 0.19ns, CMOS, PBGA136

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