Datasheet > K4U52324QE-BC07

K4U52324QE-BC07

更新时间： 2024-01-24 13:37:37

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
70页	1929K
描述
DDR DRAM, 16MX32, 0.16ns, CMOS, PBGA136

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4U52324QE-BC07 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
最长访问时间：	0.16 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	1400 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B136	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
端子数量：	136	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	16MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA136,12X17,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	8
最大待机电流：	0.135 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.31 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

K4U52324QE-BC07 数据手册

512M GDDR4 SGRAM

K4U52324QE

512Mbit GDDR4 SGRAM

2M x 32Bit x 8 Banks

Graphic Double Data Rate 4

Synchronous DRAM

with Uni-directional Data Strobe and DLL

(136Ball FBGA)

Revision 1.0

June 2006

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 June 2006

1 of 70

12 3 4 5 6 7...70

中文翻译

下载PDF

与K4U52324QE-BC07相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4U52324QE-BC07T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX32, 0.16ns, CMOS, PBGA136
K4U52324QE-BC08	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX32, 0.19ns, CMOS, PBGA136
K4U52324QE-BC080	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.19ns, CMOS, PBGA136, ROHS COMPLIANT, FBGA-136
K4U52324QE-BC08T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX32, 0.19ns, CMOS, PBGA136
K4U52324QE-BC09	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX32, 0.2ns, CMOS, PBGA136
K4U52324QE-BC090	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.2ns, CMOS, PBGA136, ROHS COMPLIANT, FBGA-136
K4U52324QE-BC09T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX32, 0.2ns, CMOS, PBGA136
K4W1G1646D-EC15	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA100, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-100
K4W1G1646D-EJ11	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA100, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-100
K4W1G1646D-EJ12	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA100, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-100

与K4U52324QE-BC07相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

1
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

2
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

2
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4U52324QE-BC07

K4U52324QE-BC07 技术参数

K4U52324QE-BC07 数据手册

与K4U52324QE-BC07相关器件

与K4U52324QE-BC07相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4U52324QE-BC07

K4U52324QE-BC07 技术参数

K4U52324QE-BC07 数据手册

与K4U52324QE-BC07相关器件

与K4U52324QE-BC07相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？