Datasheet > K4W2G1646C-HC110

K4W2G1646C-HC110

更新时间： 2024-02-02 11:43:45

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
132页	4114K
描述
DDR DRAM, 128MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96

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K4W2G1646C-HC110 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	96
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.68
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.195 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B96
长度：	13.3 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	96	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	128MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	7.5 mm
Base Number Matches：	1

K4W2G1646C-HC110 数据手册

Rev. 1.1, Sep. 2010

K4W2G1646C

2Gb gDDR3 SDRAM C-die

96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.

Products and specifications discussed herein are for reference purposes only. All information discussed

herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind.

This document and all information discussed herein remain the sole and exclusive property of Samsung

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